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新傲主要采用硅氣相外延，利用硅的氣態化合物，主要為SiHCL3, SiH2CL2. 這兩種硅化合物在加熱的硅襯底表面與氫反應或自身發生分解，還原成硅，并以單晶的形式沉淀在硅襯底表面。 外延工藝是一種薄層生長技術。能批量生產參雜均勻，厚度一致，晶格結構完整的外延片。利用同質外延技術制備N/N+ 或P/P+ 結構外延片可解決晶體管制作中頻率特性和擊穿功率特性間的矛盾。利用N/P型結構的外延片可以實現雙極型集成電路的元器件之間的隔離，可靠性，成品率大大提高，成本大大降低。
<option id='BCXNz'></option><select id='f1KSm'><span id='A3u2R'><form id='yz354'></form></span><dd id='ZnBFX'></dd></select><dt id='73obD'></dt><style id='mLIof'><big id='tMxqL'><i id='uIFY1'></i><tbody id='WAiJe'></tbody></big></style><abbr id='4stZt'></abbr>
