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SIMOX是注(zhu)氧隔離(li)技術的簡(jian)稱。新傲科技采用此技術在普通圓片的層(ceng)(ceng)間注(zhu)入(ru)氧離(li)子以形成隔離(li)層(ceng)(ceng)。此方(fang)法(fa)有兩(liang)個關鍵(jian)步驟：離(li)子注(zhu)入(ru)和退(tui)火。
在注(zhu)入(ru)(ru)過程(cheng)中，氧(yang)(yang)離子被注(zhu)入(ru)(ru)圓(yuan)片里，與(yu)硅發生反應形成(cheng)(cheng)二氧(yang)(yang)化(hua)硅沉(chen)(chen)淀物(wu)(wu)。然而注(zhu)入(ru)(ru)對圓(yuan)片造成(cheng)(cheng)相(xiang)當大的損(sun)壞(huai)，而二氧(yang)(yang)化(hua)硅沉(chen)(chen)淀物(wu)(wu)的均(jun)勻(yun)性也不很好。隨后進行的高(gao)溫退火能幫助(zhu)修復圓(yuan)片損(sun)壞(huai)層并使二氧(yang)(yang)化(hua)硅沉(chen)(chen)淀物(wu)(wu)的均(jun)勻(yun)性保持一(yi)致。這時圓(yuan)片的質量得以(yi)恢(hui)復而二氧(yang)(yang)化(hua)硅沉(chen)(chen)淀物(wu)(wu)所形成(cheng)(cheng)的埋層具有良好的絕(jue)緣性。

通(tong)過在硅(gui)和二(er)氧化硅(gui)或二(er)氧化硅(gui)和二(er)氧化硅(gui)之間使(shi)用鍵(jian)合技術，兩個(ge)圓(yuan)片能夠緊密鍵(jian)合在一(yi)(yi)起，并且(qie)在中間形成二(er)氧化硅(gui)層充當(dang)絕緣層。鍵(jian)合圓(yuan)片在此圓(yuan)片的一(yi)(yi)側削薄到所(suo)要求的厚度后得以制(zhi)成。
這個過程分三部來(lai)完成。第(di)一部是在(zai)室(shi)溫的環(huan)境下(xia)使一熱氧化圓(yuan)片(pian)在(zai)另一非氧化圓(yuan)片(pian)上鍵合；第(di)二(er)部是經過退火增強兩個圓(yuan)片(pian)的鍵合力度；第(di)三部通(tong)過研磨、拋(pao)光及腐蝕(shi)來(lai)減薄其中一個圓(yuan)片(pian)到所要求的厚度。

在傳統的(de)鍵合(he)(he)和離子(zi)注入技術(shu)的(de)基(ji)礎上，新傲及其(qi)合(he)(he)作(zuo)伙伴發展了制備SOI材料的(de)又一(yi)種方法：Simbond。 即在硅(gui)材料上注入離子(zi)，產生了一(yi)個分布均勻(yun)的(de)離子(zi)注入層。此層用來充(chong)當化學(xue)腐蝕(shi)阻擋層，可(ke)對圓片(pian)在最(zui)終拋光前器件層的(de)厚(hou)度及其(qi)均勻(yun)性有很(hen)好的(de)控制。采(cai)用新傲所首創的(de)Simbond技術(shu)制備的(de)SOI硅(gui)片(pian)具有優越的(de)SOI薄膜均勻(yun)性，同時也能得到(dao)厚(hou)的(de)絕緣埋層。